预先设计好的硬核IP可简化集成并并缩短设计周期

稳健的 ESD 架构，零风险

在 VDD 掉电期间保持自刷新前的 I/O 驱动状态

广泛支持各种EDA设计工具和流程

支持 DFI4.0/4.1/5.0 内存控制器接口

充分发挥和利用各种工艺节点的速度和功耗优势

一流的低噪声设计，确保最佳时序裕度和信号完整性

DFT 功能可缩短测试时间并确保高测试覆盖率

通过简单的寄存器接口实现多种 PHY 模式配置

每个 IO 都自带可调的延时功能，以保证高速工作时能够获得最佳的眼图采样位置

支持 LPDDR5/5x 和 LPDDR4/4x 模式和信号，速率分别为 20Mbps 至 9600Mbps (LPDDR5x)、6400Mbps (LPDDR5) 和 4266Mbps (LPDDR4/4x)

支持 x16/x32/x64 数据位宽

支持 JEDEC LPDDR4/4x 1.1V/0.6V 和 LPDDR5 0.5V/0.3V LVSTL IO 电压

支持 LPDDR5 WCK 模式、Data copy、Write X 和Link ECC 功能

独立读写时序调整，支持自动校准

可配置的 Write post-amble（0.5 tCK 或 1.5 tCK）

支持 PoP 和分立存储器封装

支持定制的硅信号和 PG bump，以优化封装设计。

支持各种低功耗模式，支持 DFS 和 Retention 模式

支持单 Rank 和多 Rank 配置

支持 PVT 补偿和时序校准，确保所有 corner 的可靠性

支持 At-speed BIST、Scan Insertion、PAD 和 Internal Loopback 模式

支持各种低功耗模式，包括自刷新时的 core 电源掉电

低抖动，具有出色的噪声抑制

支持 APB 寄存器接口

使用 RVT&LVT&ULVT 核心设备和标准技术 IO 设备实现

支持 Wire-bond 和 Flip-chip 封装

支持不同类型的 DDR 信号映射，方便 PCB 布局