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芯动 HBM3E/4 PHY 和控制器

时间：2026-04-28
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简介

第三代和第四代 HBM (HBM3E/4) 技术遵循 JESD238 标准，每次内存读写访问预取 256 位。HBM3E 支持 1024 位输入/输出，而 HBM4 则支持 2048 位输入/输出，并且其 IO 电压为 0.4V，为高性能应用提供了卓越的能效。


与前代产品相似，HBM3E/4 支持在每个 KGSD（堆栈的基本逻辑芯片） 上安置两个、四个、八个、十二个或十六个 DRAM 设备（2Hi、4Hi、8Hi、12Hi，16Hi 堆栈）。第三代HBM 将堆栈内 DRAM 设备的容量扩展到 48GB，并将每个引脚的数据速率提升 9.6Gbps，为现代数据中心和高性能计算提供了卓越的处理能力和带宽。


特性

  • 硅验证的 PHY+ 控制器完整解决方案

  • HBM3E/4 速率高达 10Gbps，HBM2E 达到 3600Mbps

  • 全方位支持：IP 集成、2.5D 封装、Interposer 设计和仿真、封装设计和仿真、生产测试、完整供应链

功能

  • 符合 JEDEC 规范，支持高达 10Gbps 的数据传输速率

  • 符合 DFI 3.1 规范 (dfi_clk_1x : WDQS = 1:4)

  • HBM3E 最多支持 16 个通道，每通道 64 位 DQ 宽度 + 可选 DBI/ECC/SEV 引脚支持

  • HBM4 最多支持 32 个通道，每通道 64 位 DQ 宽度 + 可选 DBI/ECC/SEV 引脚支持

  • 支持命令和 DQ 奇偶校验

  • 支持每 AWORD 命令 de-skew 调整

  • 支持数据 bit group de-skew 调整

  • 支持 CMD 通道修复

  • 支持 DQ 通道修复

  • 支持自动/手动 Command bus training

  • 支持命令和数据 IO 驱动强度调整

  • 支持自动/手动 RX DQS training 和 Bypass RX DQS 控制

  • 支持自动/手动WDQS2CK training 和 Bypass WDQS2CK 控制

  • 支持自动/手动 Read training

  • 支持自动/手动 Write training

  • 支持 Bypass Read/Write training

  • 支持自动 Retraining 模式和 Re-training Bypass 模式

  • 支持 ZQ 校准

  • 支持 BIST

  • 支持 pad boundary scan

  • 支持 scan chain

  • 支持 APB 3.0 接口配置寄存器

  • 支持 IEEE1500 端口，可通过 APB 直接访问内存堆栈和 PHY

  • 支持由 PHY 发起的 HBM DRAM 初始化


结构图表
HBM3E/4 9.6Gbps Rx Digital Eye Diagram
HBM3E/4 9.6Gbps Rx Digital Eye Diagram
HBM3E/4 9.6Gbps Tx Eye Diagram
HBM3E/4 9.6Gbps Tx Eye Diagram
HBM Structural Diagram
HBM Structural Diagram


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