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芯动 GDDR6X/6 PHY 和控制器

时间:2026-04-28
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简介

芯动科技 GDDR6X/6 Combo PHY 完全符合 JEDEC GDDR6X/6 标准,其中, NRZ GDDR6 每引脚支持速率为 20Gbps PAM4 GDDR6X 每引脚速率高达 24GbpsGDDR6/6X IP支持 2 通道,每通道 16 位,每个存储设备总数据宽度为 32 位。

 

当每引脚速率达到 20 Gbps/24Gbps 时,芯动科技的 GDDR6/6X PHY 可为每个存储设备提供高达 80Gbps 96Gbps 的最大带宽。该PHY 支持先进的 FinFET 工艺 节点,以满足高端客户的集成需求。


特性
  • 高带宽、支持所有先进工艺(从14/12nm 到 3nm)

  • GDDR6/6X Combo PHY 和控制器已量产验证

  • 提供封装和 PCB 服务,支持高达 24Gbps 的 速率

  • 全方位支持:IP 集成、封装/测试、系统优化和生产支持

功能
  • GDDR6/6X PHY,数据速率高达 20Gbps (GDDR6) 和 24Gbps (GDDR6X)

  • 兼容伪开漏 (POD-135) 输出

  • 驱动强度和 ODT 自动校准

  • PHY 独立自动/手动 Command/Address training

  • PHY 独立自动 WCK2CK training

  • PHY 独立自动/手动 Read training

  • PHY 独立 RX Vref training

  • PHY 独立自动/手动 Write training

  • 支持 WDBI/RDBI/CABI 功能

  • 支持 EDC QDR/DDR 模式

  • 数据输入支持 Rx DFE 均衡技术 ,可配置每个引脚 Receiver 特性

  • 支持写入和读取 CRC

  • 支持每比特 Tx 和 Rx 数据相位延迟和 VREF 调整

  • 内置高性能低抖动 PLL

  • 支持Tx De-emphasis EQ 和 Rx DFE EQ,提高信号完整性

  • 支持四倍数据速率 (QDR) 和双倍数据速率 (DDR) 数据 (WCK) 模式

  • 支持动态 Read/Write training,具有自动刷新同步功能

  • 支持动态电压/温度跟踪校准

  • 支持独立的 TX/RX/CMD 延迟线

  • 支持 FR4 PCB 材料

  • 可选封装/PCB 设计和 SI/PI 分析服务

  • 支持 Micron、Samsung、Hynix 颗粒


结构图表
GDDR6-20Gbps NRZ 眼图

GDDR6-20Gbps NRZ 眼图

GDDR6X-24Gbps PAM4 眼图
GDDR6X-24Gbps PAM4 眼图