外部存储控制器（GMC）包括以下两个存储控制器：NOR Flash/PSRAM存储控制器，同步DRAM （SDRAM）控制器。

• 连接外部静态存储器，NOR Flash/PSRAM（ 4个存储区域）
• 连接同步 DRAM （SDRAM） 存储器
• 支持突发模式，能够更快速地访问同步器件（如 NOR Flash、 PSRAM 和 SDRAM）
• 可编程连续时钟输出以支持异步和同步访问
• 具有 8 位、 16 位或 32 位宽的数据总线
• 每个存储区域有独立的片选控制
• 每个存储区域可独立配置
• 写使能和字节通道选择输出，可配合 PSRAM、 SRAM 和 SDRAM 器件使用
• 16 x 32 位深度写 FIFO
• 写 FIFO 由所有存储控制器所共用，包括：
• 写数据 FIFO，用于储存将写入存储器的数据
• 写地址 FIFO，用于存储地址（最多 28 位）以及数据大小（最多 2 位）。在突发
• SDRAM 控制器具有可缓存的 6 x 64 位深度读 FIFO（ 6 x 14 位地址标记）